TeraFab将制造DRAM，特斯拉已开始招聘相关人才

8月7日消息，根据特斯拉官网的资料显示，其目前正在招聘负责“DRAM与新兴内存技术的单元制程整合”的工程师，似乎是真的要涉足DRAM制造领域。

该招聘岗位对于工作职责的要求包括：制定先进DRAM制程（半间距低于20nm）的整合方案，以及随着TeraFab扩大内存技术布局，推动MRAM、RRAM或3D DRAM等新兴内存技术的制程整合开发等。

外媒评论称，TeraFab正在认真布局解决目前的内存供应短缺问题，可能对三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）三大内存厂商垄断市场的局面带来重大影响。

今年3月，马斯克（Elon Musk）正式公布了特斯拉与xAI共同投资建设“TeraFab”超级晶圆厂计划，建设地点位于得克萨斯州奥斯汀市特斯拉园区内，目的是为机器人、人工智能和太空数据中心制造自己的芯片，远期的目标是达到惊人的1太瓦（Terawatt，TW）级别的算力芯片产能，即每年产出超过相当于1太瓦功率的算力芯片，而1太瓦等于1000吉瓦，相当于100个当前最大的在建的10吉瓦的AI数据中心的规模。

按照马斯克之前的说法，这座TeraFab将采用2nm顶尖工艺制程，将芯片设计、制造、封装全流程整合在同一园区，借此将目前长6~9个月的芯片设计迭代周期缩短至仅数周。该工厂的目标是每月生产 10万片晶圆，最终增长到每月100万片，这将使每年的芯片产量达到1000 亿至2000亿颗。

同时，马斯克还指出，TeraFab拥有制造逻辑芯片、内存芯片、进行封装、测试、制作光罩、改进光罩并不断循环迭代所需的一切。“因此，在单一建筑内，我们就可以制作光罩、制造芯片、测试芯片、再制作新光罩，从而形成一个极快速的递归循环，不断改进芯片设计。”

从特斯拉最新的招聘信息来看，TeraFab可能确实如马斯克所说的那样，不仅仅是用于制造逻辑制程的AI芯片，还将制造内存芯片。

编辑：芯智讯-林子